电子能量损失谱（EELS）

EBIC（电子束感应电流）是一种 扫描电子显微镜（SEM）用于半导体器件的基于技术的技术。 与阴极发光（CL）一样，该技术依赖于通过SEM的高能电子束产生电子 - 空穴对（EHP）来产生分析信号。 EBIC利用连接在器件的p侧和n侧之间的敏感微微安培计来测量在电视束以平面图（PV）或横截面扫描样品时流动的电流或EBIC（ XS）。 然后，EBIC信号的强度对应于pn结周围的内置电场的强度。 充当重组位点的缺陷显示出显着较低的EBIC信号。

通常，EBIC 和二次电子 (SE) 信号同时捕获，提供 EBIC 的互补空间图以及地形和/或成分信息。 EBIC 是一种非常有效的技术，用于在大面积 (mm²) 精度为 50-100 nm 的设备，用于进一步的根本原因故障分析 (FA)，例如平面图 (PV)、横截面 (XS) SEM 或扫描透射电子显微镜 (STEM)。

此外，电子束感应电流可用于定量确定复杂异质外延结构中pn结的垂直位置，例如发光二极管（LED），垂直腔面发射激光器（VCSEL）和边缘发射激光器中的结构。 。 在一些情况下，也可以从相同的定量XS-EBIC数据计算少数载流子扩散长度的估计值。

EBIC的理想用途

• 半导体失效分析——深度 FA 的缺陷定位
• 器件特性——结位置和少数载流子扩散长度

我们的强项

• 非常适合在大面积设备中查找隐藏的本地化故障站点
• XS中pn结位置的确定

限制

• 样品中必须存在pn结
• 可接受的最大泄漏电流大约为10uA，否则EBIC数据可能太嘈杂，无法进行可用的分析

EBIC技术规格

• 检测到信号：电子束感应电流（EBIC）
• 成像/映射：是
• 横向分辨率：根据SEM条件和样品组成/拓扑结构，通常在20-500 nm之间变化